存儲器開發(fā)商Weebit正將ReRAM技術擴展到22nm FD-SOI

以色列半導體存儲器開發(fā)商Weebit Nano Ltd表示，該公司正在將其嵌入式電阻隨機存取存儲器（ReRAM）技術擴展到22nm FD-SOI。

以色列半導體存儲器開發(fā)商Weebit Nano Ltd表示，該公司正在將其嵌入式電阻隨機存取存儲器（ReRAM）技術擴展到22nm FD-SOI。

據(jù)eeNews報道，Weebit正在與CEA-Leti研究所合作設計內存模塊，其中包括一個萬兆位的ReRAM塊，目標是22nm FD-SOI工藝。2021年，Weebit在12英寸晶圓上采用28nm FD-SOI工藝技術測試了可用的1Mbit ream陣列。

格芯在德國德累斯頓的這個生產(chǎn)節(jié)點擁有一個批量FDSOI工藝——22FDX。在閃存無法有效擴展到28nm以下的背景下，這為新興的非易失性存儲技術提供了擴展到更高級節(jié)點的機會。

與此同時，嵌入式閃存預計不會擴展到22nm，這為Weebit提供了機會，不過相變存儲器、磁性RAM和金屬氧化物ReRAMs也在開發(fā)中，以擴展到這些節(jié)點。

Weebit Nano的首席執(zhí)行官Coby Hanoch在一份聲明中表示，“我們繼續(xù)將Weebit的內存技術發(fā)展到更小的幾何結構，為物聯(lián)網(wǎng)、5G和人工智能等應用提供服務，這推動了在嵌入式閃存不再是現(xiàn)實選擇的制程節(jié)點中，對新型非易失性內存的需求?！?/p>

CEA Leti硅組件部門主管Olivier Faynot則在該聲明中指出，“將ReRAM技術與FD-SOI結合在一起，對于低功耗嵌入式設備來說是一個巨大的希望，它們需要一種新型的非易失性存儲器，并將受益于其效率和魯棒性（robust，即在異常和危險情況下系統(tǒng)生存的能力）。”

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